CDMS24783-120 SL

Name: Central Semiconductor CDMS24783-120 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDM24783120SL
Price: 24.62 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

610-CDM24783120SL

Ürt. Numarası:

CDMS24783-120 SL

Ürt.:

Central Semiconductor

Açıklama:

SiC MOSFETs 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

CDMS24783-120 SL Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Central Semiconductor CDMS24783-120 SL hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 40

Stok:: 40 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	24,62 €	24,62 €
	17,51 €	175,10 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Central Semiconductor
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	18 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	150 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	55 C
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	28 W
Kanal Modu:	Depletion
Marka:	Central Semiconductor
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	PH
Ürün:	MOSFETs
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tip:	SiC MOSFET

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

CDMS24783-120 SL Veri Sayfası (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET

Central Semiconductor CDMS24783-120 Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications. This SiC MOSFET features a 20V gate-source voltage, 18A continuous drain current, 28W power dissipation, and 20A pulsed drain current. The CDMS24783-120 MOSFET supports higher breakdown voltage and better thermal conductivity. This device is available in a TO-247 package with an operating temperature range of -55°C to 175°C. Typical applications include Electric Vehicles (EV), renewable energy systems, and medical imaging equipment.