MR2A16AVYS35

Everspin Technologies
936-MR2A16AVYS35
MR2A16AVYS35

Ürt.:

Açıklama:
MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 95

Stok:
95 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
38,53 € 38,53 €
35,62 € 356,20 €
34,47 € 861,75 €
33,61 € 1.680,50 €
32,50 € 3.250,00 €
31,66 € 8.548,20 €
1.080 Fiyat Teklifi

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Everspin Technologies
Ürün Kategorisi: MRAM
RoHS:  
MR2A16A
Erişim süresi: 35 ns
Marka: Everspin Technologies
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: TW
Veri Yolu Genişliği: 16 bit
Arayüz Türü: Parallel
Maksimum Çalışma Sıcaklığı: + 105 C
Bellek Boyutu: 4 Mbit
Minimum Çalışma Sıcaklığı: - 40 C
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
İşletim Besleme Akımı: 55 mA, 105 mA
Kurum: 256 k x 16
Paket / Kasa: TSOP-II-44
Paketleme: Tray
Pd - Güç Dağılımı: 600 mW
Ürün Tipi: MRAM
Fabrika Paket Miktarı: 135
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Besleme Voltajı - Maks: 3.6 V
Besleme Voltajı - Min: 3 V
Ticari Unvan: Parallel I/O (x16)
Birim Ağırlık: 13,628 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Everspin MRAM


Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.