IS43R16160D-6TLI

ISSI
870-IS43R16160D-6TLI
IS43R16160D-6TLI

Ürt.:

Açıklama:
DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
ISSI IS43R16160D-6TLI hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 349

Stok:
349 Hemen Gönderilebilir
Minimum: 1   Çoklu: 1   Maksimum: 37
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,30 € 6,30 €
5,86 € 58,60 €
5,68 € 142,00 €

Olası Değişim

ISSI IS43R16160F-6TLI
ISSI
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Mevcut Parça ile Karşılaştırın

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ISSI
Ürün Kategorisi: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
256 Mbit
16 bit
166 MHz
TSOP-II-66
16 M x 16
6 ns
2.3 V
2.7 V
- 40 C
+ 85 C
IS43R16160D
Tray
Marka: ISSI
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: CN
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Ürün Tipi: DRAM
Fabrika Paket Miktarı: 108
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Besleme Akımı - Maks: 280 mA
Birim Ağırlık: 2,188 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

Models

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR SDRAM

ISSI 512-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages. The device is available in 8-bit, 16-bit, and 32-bit data word sizes. Input data is registered on the I/O pins on both edges of Data Strobe signal(s), while output data is referenced to both edges of Data Strobe and both edges of CLK. ISSI 512-Mbit DDR SDRAM commands are registered on the positive edges of CLK.

IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM

ISSI IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory array is internally organized as four banks of 64MB to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.