IS43R16320D-5TL

ISSI
870-IS43R16320D-5TL
IS43R16320D-5TL

Ürt.:

Açıklama:
DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 59

Stok:
59 Hemen Gönderilebilir
Minimum: 1   Çoklu: 1   Maksimum: 200
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,76 € 6,76 €
6,30 € 63,00 €
6,11 € 152,75 €
5,96 € 298,00 €
5,81 € 627,48 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ISSI
Ürün Kategorisi: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
16 bit
200 MHz
TSOP-II-66
32 M x 16
5 ns
2.3 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
IS43R16320D
Tray
Marka: ISSI
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: CN
Neme Duyarlı: Yes
Montaj Stili: SMD/SMT
Ürün Tipi: DRAM
Fabrika Paket Miktarı: 108
Alt kategori:: Memory & Data Storage
Besleme Akımı - Maks: 430 mA
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542319090
USHTS:
8542320028
JPHTS:
8542320216
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR SDRAM

ISSI 512-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages. The device is available in 8-bit, 16-bit, and 32-bit data word sizes. Input data is registered on the I/O pins on both edges of Data Strobe signal(s), while output data is referenced to both edges of Data Strobe and both edges of CLK. ISSI 512-Mbit DDR SDRAM commands are registered on the positive edges of CLK.

IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM

ISSI IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory array is internally organized as four banks of 64MB to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages.