Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IXFH34N65X2W

Name: IXYS IXFH34N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH34N65X2W
Price: 7.46 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

747-IXFH34N65X2W

Ürt. Numarası:

IXFH34N65X2W

Ürt.:

IXYS

Açıklama:

MOSFET'ler 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

IXFH34N65X2W Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

IXYS IXFH34N65X2W hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 584

Stok:: 584

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 300
Fabrika Teslim Süresi:: 29

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	7,46 €	7,46 €
	4,37 €	43,70 €
	3,68 €	441,60 €
	3,42 €	3.488,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	34 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	100 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	30 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	5 V
Qg - Kapı Şarjı:	64 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	540 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	HiPerFET
Paketleme:	Tube
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	KR
Düşüş Zamanı:	31 ns
İleri İletkenlik - Min:	18 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	52 ns
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	66 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	38 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IXFH34N65X2W Veri Sayfası (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

IXFH34N65X2W Güç MOSFET'i

IXYS IXFH34N65X2W Power MOSFET is a 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET developed using the charge compensation principle and proprietary process technology. This N-channel power MOSFET exhibits low on-state resistance and low gate charges, along with superior dv/dt performance. The IXFH34N65X2W MOSFET features high power density, and the avalanche capability enhances the device's ruggedness. In addition to the fast soft-recovery body diode, the ultra-junction MOSFET helps to reduce switching losses and Electro-Magnetic Interference (EMI). The IXFH34N65X2W MOSFET is used in switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics, and servo control applications.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.