IXTA130N065T2

IXYS
747-IXTA130N065T2
IXTA130N065T2

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler 130 Amps 65V

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
IXYS IXTA130N065T2 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
3,41 € 3,41 €
2,24 € 22,40 €
1,63 € 163,00 €
1,45 € 725,00 €
1,25 € 1.250,00 €
1,20 € 3.000,00 €
1,17 € 5.850,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
IXYS
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
65 V
130 A
6.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
79 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marka: IXYS
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: Not Available
Düşüş Zamanı: 17 ns
İleri İletkenlik - Min: 38 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 42 ns
Seri: IXTA130N065
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 20 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 11 ns
Birim Ağırlık: 4 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.