Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

IPD122N10N3GATMA1

Name: Infineon IPD122N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD122N10N3GATMA
Price: 1.64 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

726-IPD122N10N3GATMA

Ürt. Numarası:

IPD122N10N3GATMA1

Ürt.:

Infineon Technologies

Açıklama:

MOSFET'ler IFX FET >80 - 100V

Veri Sayfası:

IPD122N10N3GATMA1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 19.403

Stok:: 19.403 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	1,64 €	1,64 €
	0,894 €	8,94 €
	0,697 €	69,70 €
	0,572 €	286,00 €
	0,556 €	556,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
	0,556 €	1.390,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Infineon
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	100 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	59 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	12.2 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2 V
Qg - Kapı Şarjı:	26 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	94 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	OptiMOS
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	KR
Düşüş Zamanı:	5 ns
İleri İletkenlik - Min:	29 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	8 ns
Seri:	OptiMOS 3
Fabrika Paket Miktarı:	2500
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	24 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	14 ns
Parça No Takma Adları:	IPD122N10N3 G SP001127828
Birim Ağırlık:	4 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

IPD122N10N3GATMA1 Veri Sayfası (PDF)

Application Notes

Models

Other

Packaging:PG-TO252-3-313 | IPD122N10N3GATMA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 100V N-Channel (Zip)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low R_DS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability.