IRF540ZPBF

Infineon Technologies
942-IRF540ZPBF
IRF540ZPBF

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 25.543

Stok:
25.543 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
17 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
1,09 € 1,09 €
0,672 € 6,72 €
0,618 € 61,80 €
0,488 € 244,00 €
0,445 € 445,00 €
0,427 € 854,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
36 A
26.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
92 W
Enhancement
Tube
Marka: Infineon Technologies
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: CN
Dağıtım Ülkesi: TW
Menşe Ülke: TW
Ürün Tipi: MOSFETs
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.