Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

CGHV1J006D-GP4

Name: MACOM CGHV1J006D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV1J006D
Price: 76.45 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

941-CGHV1J006D

Ürt. Numarası:

CGHV1J006D-GP4

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt

Veri Sayfası:

CGHV1J006D-GP4 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

MACOM CGHV1J006D-GP4 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 50
Fabrika Teslim Süresi:: 26

Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 10 Çoklu: 10

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	76,45 €	764,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	MACOM
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	Die
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	100 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	800 mA
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	2.3 Ohms
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	- 3 V
Marka:	MACOM
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	US
Kazanç:	17 dB
Maksimum Çalışma Frekansı:	18 GHz
Minimum Çalışma Frekansı:	10 MHz
Çıkış Gücü:	6 W
Paketleme:	Gel Pack
Ürün:	GaN HEMTs
Ürün Tipi:	GaN FETs
Fabrika Paket Miktarı:	10
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN
Transistör Tipi:	GaN HEMT
Vgs - Kapı Kaynağı Arıza Voltajı:	- 10 V to 2 V
Birim Ağırlık:	3,890 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

                        
Cree RF Products

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for
further information.

5-0614-38

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

CGHV1J006D-GP4 Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.