Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

CGHV40030F

Name: MACOM CGHV40030F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV40030F
Price: 237.36 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

941-CGHV40030F

Ürt. Numarası:

CGHV40030F

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Veri Sayfası:

CGHV40030F Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

MACOM CGHV40030F hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 16

Stok:: 16 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	237,36 €	237,36 €
	200,43 €	2.004,30 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	MACOM
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	440166
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	100 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	4.2 A
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.3 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Marka:	MACOM
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	US
Menşe Ülke:	US
Geliştirme Kiti:	CGHV40030-TB1
Kazanç:	16 dB
Maksimum Çalışma Frekansı:	1.4 GHz
Minimum Çalışma Frekansı:	960 MHz
Çıkış Gücü:	30 W
Paketleme:	Tray
Ürün:	GaN HEMTs
Ürün Tipi:	GaN FETs
Fabrika Paket Miktarı:	50
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN
Transistör Tipi:	GaN HEMT
Vgs - Kapı Kaynağı Arıza Voltajı:	2.6 V
Birim Ağırlık:	7,396 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

CGHV40030F Veri Sayfası (PDF)

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.