Ana İçeriğe Geçin

+49 (0)89 520 462 110

TTI Uzmanlar Ailesinin Bir Parçası Mouser ile İletişime Geçin (Almanya) +49 (0)89 520 462 110 Geri Bildirim

Konum Değiştir

Stokta Var

RoHS

Giriş Yap
Yeni bir müşteri misiniz? Buradan başlayın
Giriş Yap
Yeni bir müşteri misiniz? Buradan başlayın

Sipariş Geçmişi

Ürt.	Ürt. Numarası:	Miktar	Toplam

Sepeti Görüntüle

Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

GTRB184402FC-V1-R2

MACOM

Mouser Numarası:

941-GTRB184402FCV1R2

Ürt. Numarası:

GTRB184402FC-V1-R2

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT

Veri Sayfası:

GTRB184402FC-V1-R2 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Teslimat Kısıtlaması:

Mouser şu anda bu ürünü bölgenizde satmamaktadır.

Stok Durumu

Stok:: Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	MACOM
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
Teslimat Kısıtlaması:	Mouser şu anda bu ürünü bölgenizde satmamaktadır.
Marka:	MACOM
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	US
Neme Duyarlı:	Yes
Paketleme:	Reel
Ürün Tipi:	GaN FETs
Fabrika Paket Miktarı:	250
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN-on-SiC
Transistör Tipi:	GaN HEMT

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

GTRB184402FC-V1-R2 Veri Sayfası (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

ÖNE ÇIKAN ÜRÜNLER

MACOM

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

Offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band.

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT hakkında daha fazla bilgi

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT hakkında daha fazla bilgi

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor hakkında daha fazla bilgi

5G RF JFETs & LDMOS FETs

Thermally enhanced high-power transistors for the next generation of wireless transmission.

5G RF JFETs & LDMOS FETs hakkında daha fazla bilgi

GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs

50V RF transistors featuring input matching, high efficiency, and thermally enhanced packages.

GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs hakkında daha fazla bilgi