APTGX900A120TDP3EG

Name: Microchip APTGX900A120TDP3EG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TGX900A120TDP3EG
Price: 204.3 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser Numarası:

579-TGX900A120TDP3EG

Ürt. Numarası:

APTGX900A120TDP3EG

Ürt.:

Microchip Technology

Açıklama:

IGBT Modülleri PM-IGBT-TFS-DP3

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

APTGX900A120TDP3EG Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 40 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	204,30 €	204,30 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Microchip
Ürün Kategorisi:	IGBT Modülleri
RoHS:
Ürün:	IGBT Modules
Yapılandırma:	Dual
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks:	1.2 kV
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı:	1.6 V
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı:	900 A
Kapı Verici Kaçak Akımı:	300 nA
Pd - Güç Dağılımı:	3.26 kW
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Marka:	Microchip Technology
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	Not Available
Maksimum Kapı Verici Voltajı:	20 V
Montaj Stili:	Press Fit
Ürün Tipi:	IGBT Modules
Fabrika Paket Miktarı:	1
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Teknoloji:	Si

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

APTGX900A120TDP3EG Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000

IGBT 7 Power Modules

Microchip Technology Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 Power Modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, creating a compact and efficient solution for high-power applications. These modules control and convert electrical power and feature increased power capability and lower power losses. The lGBT 7 lineup includes a variety of package types and topologies with a voltage range of 1200V to 1700V and a current range of 50A to 900A. These power modules are an improvement over legacy generations by offering lower V_CE(sat) and V_f, enhanced controllability of dv/dt, 50% higher current capability, overload capacity at T_j +175°C, improved freewheeling diode softness, and simpler driving. These features provide a differentiated value proposition of high power density, reduced system costs, higher efficiency, ease of use, durability, and faster time to market.