MSC50DC120HJ

Microchip Technology
494-MSC50DC120HJ
MSC50DC120HJ

Ürt.:

Açıklama:
Diode Modules PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
18 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
59,58 € 59,58 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Microchip
Ürün Kategorisi: Diode Modules
RoHS:  
Screw Mount
SOT-227-4
1.2 kV
Full Bridge
1.5 V
- 55 C
+ 150 C
Tube
Marka: Microchip Technology
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: Not Available
Ürün: SiC Schottky Diode Modules
Ürün Tipi: Diode Modules
Fabrika Paket Miktarı: 1
Alt kategori:: Discrete and Power Modules
Teknoloji: SiC
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Modules

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Power Modules combine a formidable array of technologies into a single package optimized for reliability, efficiency, space-saving, and reduced assembly time. The readily available standard module product line from Microchip Technology spans a wide selection of circuit topologies, semiconductors including Silicon Carbide, voltage and current ratings, and packages. Unique requirements can be met with application-specific power modules (ASPM®).

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.