SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics
511-SCT020W120G3-4AG
SCT020W120G3-4AG

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
STMicroelectronics SCT020W120G3-4AG hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 478

Stok:
478 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
22 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
16,25 € 16,25 €
10,34 € 103,40 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
Hip247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
28 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
121 nC
- 55 C
+ 200 C
541 W
Enhancement
AEC-Q101
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: CN
Düşüş Zamanı: 22 ns
Paketleme: Tube
Ürün: SiC MOSFETS
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 9 ns
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 47 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 21 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Veri Sayfası

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC Power MOSFETs

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC (Silicon Carbide) Power MOSFET features minimal ON-resistance and excellent switching performance, almost independent of temperature, due to the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SCTW70N120G2V also offers a high-speed, robust intrinsic body diode and extremely low gate charge and input capacities. A high-temperature rating of +200°C enables the improved thermal design of power electronics systems.

Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs are developed using ST's advanced and innovative 2nd/3rd generation SiC MOSFET technology. The devices feature low on-resistance per unit area and very good switching performance. The MOSFETs feature a very high operating temperature capability (TJ = +200°C), and a very fast and robust intrinsic body diode.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.