Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

SCT025W120G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT025W120G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT025W120G3-4AG
Price: 17.44 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-SCT025W120G3-4AG

Ürt. Numarası:

SCT025W120G3-4AG

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

SCT025W120G3-4AG Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics SCT025W120G3-4AG hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 584

Stok:: 584 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 22 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	17,44 €	17,44 €
	11,12 €	111,20 €
	10,09 €	1.009,00 €
	9,57 €	5.742,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	HiP-247-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	56 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	37 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.2 V
Qg - Kapı Şarjı:	73 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 200 C
Pd - Güç Dağılımı:	388 W
Kanal Modu:	Enhancement
Vasıf:	AEC-Q101
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	CN
Düşüş Zamanı:	18 ns
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	5.7 ns
Fabrika Paket Miktarı:	600
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	32.5 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	16.4 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SCT025W120G3-4AG Veri Sayfası (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs are developed using ST's advanced and innovative 2nd/3rd generation SiC MOSFET technology. The devices feature low on-resistance per unit area and very good switching performance. The MOSFETs feature a very high operating temperature capability (TJ = +200°C), and a very fast and robust intrinsic body diode.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.