Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

SCT040H120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040H120G3AG
Price: 10.96 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-SCT040H120G3AG

Ürt. Numarası:

SCT040H120G3AG

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

SCT040H120G3AG Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics SCT040H120G3AG hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 21 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	10,96 €	10,96 €
	7,65 €	76,50 €
	6,65 €	665,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
	6,21 €	6.210,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	H2PAK-7
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	40 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	54 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.2 V
Qg - Kapı Şarjı:	54 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	300 W
Kanal Modu:	Enhancement
Vasıf:	AEC-Q101
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	IT
Düşüş Zamanı:	19.2 ns
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	21.1 ns
Fabrika Paket Miktarı:	1000
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	36.3 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	12.9 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SCT040H120G3AG Veri Sayfası (PDF)

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs are developed using ST's advanced and innovative 2nd/3rd generation SiC MOSFET technology. The devices feature low on-resistance per unit area and very good switching performance. The MOSFETs feature a very high operating temperature capability (TJ = +200°C), and a very fast and robust intrinsic body diode.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.