Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

SCTW40N120G2VAG

Name: STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW40N120G2VAG
Price: 14.79 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-SCTW40N120G2VAG

Ürt. Numarası:

SCTW40N120G2VAG

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

SCTW40N120G2VAG Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 549

Stok:: 549 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 21 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	14,79 €	14,79 €
	9,18 €	91,80 €
	9,16 €	916,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	HiP-247-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	36 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	100 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.9 V
Qg - Kapı Şarjı:	61 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 200 C
Pd - Güç Dağılımı:	278 W
Kanal Modu:	Enhancement
Vasıf:	AEC-Q101
Marka:	STMicroelectronics
Montaj Ülkesi:	IT
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	IT
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Fabrika Paket Miktarı:	600
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Birim Ağırlık:	4,500 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SCTW40N120G2VAG Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.

Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs are developed using ST's advanced and innovative 2nd/3rd generation SiC MOSFET technology. The devices feature low on-resistance per unit area and very good switching performance. The MOSFETs feature a very high operating temperature capability (TJ = +200°C), and a very fast and robust intrinsic body diode.