SCTWA90N65G2V-4
Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
511-SCTWA90N65G2V-4
SCTWA90N65G2V-4
Ürt.:
Açıklama:
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
Veri Sayfası:
Stokta Var: 101
-
Stok:
-
101 Hemen GönderilebilirBeklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
-
Fabrika Teslim Süresi:
-
22 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
101'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Fiyatlandırma (EUR)
| Miktar | Birim Fiyat |
Toplam Fiyat
|
|---|---|---|
| 25,04 € | 25,04 € | |
| 18,93 € | 189,30 € | |
| 18,12 € | 1.812,00 € | |
| 17,27 € | 10.362,00 € |
Benzer Ürün
STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
