Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

CSD17309Q3

Name: Texas Instruments CSD17309Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17309Q3
Price: 1.43 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

595-CSD17309Q3

Ürt. Numarası:

CSD17309Q3

Ürt.:

Texas Instruments

Açıklama:

MOSFET'ler 30V N Channel NexFET Power MOSFET

Veri Sayfası:

CSD17309Q3 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Texas Instruments CSD17309Q3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 5.087

Stok:: 5.087 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 6 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	1,43 €	1,43 €
	0,912 €	9,12 €
	0,606 €	60,60 €
	0,478 €	239,00 €
	0,437 €	437,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
	0,401 €	1.002,50 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Texas Instruments
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	VSON-CLIP-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	30 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	60 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	5.4 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1.2 V
Qg - Kapı Şarjı:	7.5 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	2.8 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	NexFET
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	PH
Dağıtım Ülkesi:	TW
Menşe Ülke:	PH
Geliştirme Kiti:	DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
Düşüş Zamanı:	3.6 ns
İleri İletkenlik - Min:	67 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	9.9 ns
Seri:	CSD17309Q3
Fabrika Paket Miktarı:	2500
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	13.2 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	6.1 ns
Birim Ağırlık:	44,500 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

CSD17309Q3 Veri Sayfası

Models

CSD17309Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

Technical Resources

CSD17309Q3 TINA-TI Reference Design

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

TI N-Channel 8-23-12

CSD17309Q3 NexFET™ Power MOSFET

Texas Instruments CSD17309Q3 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and is optimized for 5V gate drive applications. The Texas Instruments CSD17309Q3 N-Channel NexFET MOSFET features ultra-low on-resistance and low thermal resistance. This MOSFET is ideal for notebook point of load and point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems applications.