Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

LMG3522R050RQST

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

595-LMG3522R050RQST

Ürt. Numarası:

LMG3522R050RQST

Ürt.:

Texas Instruments

Açıklama:

Gate Drivers 650-V 50-m? GaN FET with integrated driv

Veri Sayfası:

LMG3522R050RQST Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Texas Instruments LMG3522R050RQST hakkında daha fazla bilgi edinin

Teslimat Kısıtlaması:

Mouser şu anda bu ürünü bölgenizde satmamaktadır.

Stok Durumu

Stok:: Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Texas Instruments
Ürün Kategorisi:	Kapı Sürücüleri
Teslimat Kısıtlaması:	Mouser şu anda bu ürünü bölgenizde satmamaktadır.
RoHS:
REACH - SVHC:
Ürün:	GaN FET
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	VQFN-52
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 125 C
Seri:	LMG3522R050
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	PH
Input Voltage - Max:	18 V
Input Voltage - Min:	7.5 V
Neme Duyarlı:	Yes
İşletim Besleme Akımı:	9.7 mA
Ürün Tipi:	Gate Drivers
Fabrika Paket Miktarı:	250
Alt kategori::	PMIC - Power Management ICs

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

LMG3522R050RQST Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3522R050 650V GaN FET

Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET with integrated driver and protection targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3522R050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150Vns. TI offers integrated precision gate bias, which results in higher switching SOA when compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers minimal ringing and clean switching in hard-switching power supply topologies. The adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 15V/ns to 150V/ns. This control can be used to actively control EMI and optimize switching performance.