Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

C3M0021120K

Name: Wolfspeed C3M0021120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0021120K
Price: 14.93 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

941-C3M0021120K

Ürt. Numarası:

C3M0021120K

Ürt.:

Wolfspeed

Açıklama:

SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

Veri Sayfası:

C3M0021120K Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 813

Stok:: 813 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

813'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	14,93 €	14,93 €
	10,17 €	101,70 €
	10,02 €	1.202,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Wolfspeed
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	100 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	28.8 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.5 V
Qg - Kapı Şarjı:	162 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	469 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	Wolfspeed
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	CN
Düşüş Zamanı:	14 ns
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	33 ns
Seri:	C3M
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	57 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	29 ns
Birim Ağırlık:	6 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

C3M0021120K Veri Sayfası

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1.200 V Silikon Karbür Güç MOSFET'leri

Wolfspeed 1.200 V Silisyum Karbür Güç MOSFET'leri performans, sağlamlık ve tasarım kolaylığı açısından standartları belirler. Wolfspeed MOSFET'leri hızlı anahtarlama ve düşük anahtarlama kaybı yetenekleri ile öne çıkarak, silikon MOSFET ve IGBT rakiplerine kıyasla sistem verimliliği, güç yoğunluğu ve genel BOM maliyetinde önemli bir iyileşmeyi garanti eder.

E-Series AEC-Q101 Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed E-Series AEC-Q101 Silicon Carbide MOSFETs are robust SiC semiconductor devices for the Electric Vehicle (EV) and renewable energy markets. These devices deliver high power density and durability for onboard automotive power conversion systems, off-board charging, solar inverters, and other outdoor applications. These MOSFETs are automotive-qualified and PPAP-capable. The E-Series AEC-Q101 Silicon Carbide MOSFETs are ideal for high-humidity and automotive qualifications and deliver reliable and corrosion-resistant performance.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.