Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

C3M0160120D

Name: Wolfspeed C3M0160120D
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0160120D
Price: 5.91 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

941-C3M0160120D

Ürt. Numarası:

C3M0160120D

Ürt.:

Wolfspeed

Açıklama:

SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-3, Industrial

Veri Sayfası:

C3M0160120D Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Wolfspeed C3M0160120D hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 398

Stok:: 398 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	5,91 €	5,91 €
	3,64 €	36,40 €
	3,04 €	364,80 €
	2,99 €	1.524,90 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Wolfspeed
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	17 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	160 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	3.6 V
Qg - Kapı Şarjı:	38 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	97 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	Wolfspeed
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	US
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Birim Ağırlık:	6 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

C3M0160120D Veri Sayfası

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1.200 V Silikon Karbür Güç MOSFET'leri

Wolfspeed 1.200 V Silisyum Karbür Güç MOSFET'leri performans, sağlamlık ve tasarım kolaylığı açısından standartları belirler. Wolfspeed MOSFET'leri hızlı anahtarlama ve düşük anahtarlama kaybı yetenekleri ile öne çıkarak, silikon MOSFET ve IGBT rakiplerine kıyasla sistem verimliliği, güç yoğunluğu ve genel BOM maliyetinde önemli bir iyileşmeyi garanti eder.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

Z-Rec Zero Recovery SiC Diodes

Wolfspeed Z-Rec™ Zero Recovery Silicon Carbide Schottky Diodes are 1200V, 650V, or 600V Schottky rectifiers with a zero reverse recovery current. With high-frequency operation and temperature-independent switching behavior, Wolfspeed Z-Rec Zero Recovery Rectifiers provide extremely fast switching with virtually no switching losses and the ability to parallel devices without thermal runaway, reducing heat sink requirements. The unipolar diodes can replace bipolar rectifiers and are helpful in switch-mode power supplies, power factor correction, and motor drives.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are optimized for high-performance power electronics applications, including server power supplies, electric vehicle charging systems, energy storage systems, solar (PV) inverters, industrial power supplies, and consumer electronics. Compared to silicon-based solutions, Wolfspeed Silicon Carbide technology enables increased system power density, higher switching frequencies, smaller designs, cooler components, reduced size of components like inductors, capacitors, filters, and transformers, and overall cost benefits. Wolfspeed SiC diodes feature the MPS (Merged PiN Schottky) design, which is more robust and reliable than standard Schottky barrier diodes. Wolfspeed's portfolio of SiC Schottky diodes come in various packages to meet diverse application requirements.