Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

NXH008P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH008P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH008P12M3F1PTG
Price: 85.17 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NXH008P12M3F1PTG

Ürt. Numarası:

NXH008P120M3F1PTG

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

MOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

NXH008P120M3F1PTG Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 17

Stok:: 17 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 24 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	85,17 €	85,17 €
	84,59 €	845,90 €
	80,32 €	8.995,84 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	MOSFET Modules
RoHS:
Teknoloji:	SiC
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	PIM-18
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	145 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	10.9 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.4 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	382 W
Seri:	NXH008P120M3F1PTG
Paketleme:	Tray
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	CN
Düşüş Zamanı:	12 ns
Yükseklik:	12 mm
Uzunluk:	48 mm
Ürün Tipi:	MOSFET Modules
Yükseliş zamanı:	17 ns
Fabrika Paket Miktarı:	28
Alt kategori::	Discrete and Power Modules
Ticari Unvan:	EliteSiC
Tip:	Half Bridge
Tipik Gecikme Süresi:	17 ns
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	97 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	17 ns
Genişlik:	33.8 mm

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NXH008P120M3F1PTG Veri Sayfası

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules contain 8mΩ/1200V, 10mΩ/1200V, 15mΩ/1200V, and 30mΩ/1200V M3S SiC MOSFETs based on half-bridge topology and a thermistor in a F1 package. These modules feature pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The NXH0xxP120M3F1 modules are designed with press-fit pins and are Pb-free, Halide-free, and RoHS-compliant. These power modules are used in solar inverters, industrial power, Electric Vehicle (EV) charging stations, and Uninterruptible Power Supplies (UPS).