Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

DXTN80060DFGQ-7

Name: Diodes Incorporated DXTN80060DFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DXTN80060DFGQ-7
Price: 0.43 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

621-DXTN80060DFGQ-7

Ürt. Numarası:

DXTN80060DFGQ-7

Ürt.:

Diodes Incorporated

Açıklama:

Bipolar Transistörler - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

DXTN80060DFGQ-7 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Diodes Incorporated DXTN80060DFGQ-7 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 3.662

Stok:: 3.662 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 40 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	0,439 €	0,44 €
	0,274 €	2,74 €
	0,221 €	22,10 €
	0,211 €	105,50 €
	0,206 €	206,00 €
Tam Makara (2000'in katları olarak sipariş verin)
	0,20 €	400,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Diodes Incorporated
Ürün Kategorisi:	Bipolar Transistörler - BJT
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerVDFN-8
Transistör Polaritesi:	NPN
Yapılandırma:	Single
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks:	60 V
Kollektör - Temel Voltaj VCBO:	100 V
Verici - Temel Voltaj VEBO:	8 V
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı:	100 mV
Pd - Güç Dağılımı:	2.4 W
Kazanç Bant Genişliği Ürünü fT:	140 MHz
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Vasıf:	AEC-Q101
Seri:	DXTN
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	Diodes Incorporated
Sürekli Kollektör Akımı:	6.5 A
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	CN
DC Akım Kazanımı hFE Maks:	550 at 100 mA
Ürün Tipi:	BJTs - Bipolar Transistors
Fabrika Paket Miktarı:	2000
Alt kategori::	Transistors

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

DXTN80060DFGQ-7 Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DXTN80x NPN Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI^® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >30V, 60V, or 100V collector-emitter voltage and a >8V emitter-base voltage. The DXTN80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. DXTN80x NPN bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

DXTN/P 78Q & 80Q Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q and 80Q Bipolar Transistors offer 30V, 60V, and 100V ratings, deliver exceptional conduction efficiency and thermal performance for demanding automotive power switching and control. The ultra-low V_CE(SAT) NPN and PNP bipolar transistors are ideal for 12V, 24V, and 48V systems, supporting applications such as MOSFET and IGBT gate driving, load switching, LDO regulation, DC-DC conversion, and motor/actuator control.