Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 4.06 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-SGT65R65AL

Ürt. Numarası:

SGT65R65AL

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

SGT65R65AL Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics SGT65R65AL hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 2.978
Fabrika Teslim Süresi:: 52

Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 3000 Çoklu: 3000

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	4,06 €	12.180,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerFLAT-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	25 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	65 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	+ 6 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1.8 V
Qg - Kapı Şarjı:	5.4 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	305 W
Marka:	STMicroelectronics
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	CN
Neme Duyarlı:	Yes
Paketleme:	Reel
Ürün Tipi:	GaN FETs
Seri:	SGT
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN-on-Si
Transistör Tipi:	E-Mode
Tip:	RF Power MOSFET
Birim Ağırlık:	76 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

SGT65R65AL Veri Sayfası (PDF)

Application Notes

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors are 650V, 25A transistors combined with well-established packaging technology. The STMicroelectronics SGT65R65AL has a resulting G-HEMT device that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. The device can enable high power density and unbeatable efficiency performances.