SI8487DB-T1-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8487DB-T1-E1
SI8487DB-T1-E1

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
Vishay Semiconductors SI8487DB-T1-E1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 8.604

Stok:
8.604
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
3.000
Fabrika Teslim Süresi:
4
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ †
0,998 € 1,00 €
0,624 € 6,24 €
0,41 € 41,00 €
0,318 € 159,00 €
0,289 € 289,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
0,25 € 750,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Vishay
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
30 V
7.7 A
25 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
2.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay Semiconductors
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: DE
Düşüş Zamanı: 60 ns
İleri İletkenlik - Min: 16 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 22 ns
Seri: SI8
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 P-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 195 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 25 ns
Parça No Takma Adları: SI8487DB-E1
Birim Ağırlık: 45,104 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs

Vishay Siliconix's Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs set new benchmarks for size and on-resistance. The new Si8497DB is the industry's first 30V chipscale MOSFET in the compact 1 mm by 1.5 mm size, making it the smallest such device on the market, while the Si8487DB provides the lowest on-resistance available for a 30V chipscale device in the 1.6 mm by 1.6 mm form factor. Vishay's TrenchFET Gen III P-channel technology uses advanced process techniques to pack one billion transistor cells into each square inch of silicon. The Si8497DB and Si8487DB will be used for load, battery, and charger switching in handheld devices including smart phones, tablets, point-of-sale (POS) devices, and mobile computing.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.