Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

STD5N60M2

Name: STMicroelectronics STD5N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD5N60M2
Price: 1.47 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STD5N60M2

Ürt. Numarası:

STD5N60M2

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

MOSFET'ler N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

STD5N60M2 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics STD5N60M2 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 6.550

Stok:: 6.550

Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 2.500
Fabrika Teslim Süresi:: 16

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	1,47 €	1,47 €
	0,937 €	9,37 €
	0,623 €	62,30 €
	0,492 €	246,00 €
	0,447 €	447,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
	0,407 €	1.017,50 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	600 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	3.5 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	1.4 Ohms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	3 V
Qg - Kapı Şarjı:	8.5 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	45 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	MDmesh
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Montaj Ülkesi:	CN
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	CN
Düşüş Zamanı:	15 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	3 ns
Seri:	STD5N60M2
Fabrika Paket Miktarı:	2500
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	70 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	11.8 ns
Birim Ağırlık:	330 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STD5N60M2 Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.