TGF2023-2-01

Qorvo
772-TGF2023-2-01
TGF2023-2-01

Ürt.:

Açıklama:
GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB

Yaşam Döngüsü:
NRND:
Yeni tasarımlar için tavsiye edilmez.
Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
Qorvo TGF2023-2-01 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:
0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 50   Çoklu: 50
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
46,58 € 2.329,00 €
43,68 € 4.368,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Qorvo
Ürün Kategorisi: GaN FETs
RoHS:  
Die
N-Channel
Marka: Qorvo
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: US
Kazanç: 18 dB
Maksimum Çalışma Frekansı: 18 GHz
Minimum Çalışma Frekansı: 0 Hz
Çıkış Gücü: 6 W
Paketleme: Gel Pack
Ürün: RF JFET Transistors
Ürün Tipi: GaN FETs
Seri: TGF2023
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: GaN-on-SiC
Transistör Tipi: GaN HEMT
Tip: GaN SiC HEMT
Parça No Takma Adları: 1099624
Birim Ağırlık: 739,600 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0 

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

Veri Sayfası

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.