Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

TK110N65Z,S1F

Name: Toshiba TK110N65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110N65ZS1F
Price: 6.46 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

757-TK110N65ZS1F

Ürt. Numarası:

TK110N65Z,S1F

Ürt.:

Toshiba

Açıklama:

MOSFET'ler MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

Veri Sayfası:

TK110N65Z,S1F Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Toshiba TK110N65Z,S1F hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 432

Stok:: 432 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	6,46 €	6,46 €
	3,42 €	34,20 €
	3,23 €	387,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Toshiba
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	24 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	110 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	40 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	190 W
Kanal Modu:	Enhancement
Paketleme:	Tube
Marka:	Toshiba
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	CN
Düşüş Zamanı:	4 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	35 ns
Seri:	DTMOS VI
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	90 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	62 ns
Birim Ağırlık:	6 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

TK110N65Z,S1F Veri Sayfası (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TK110N65Z DTMOSVI Power MOSFET

Toshiba TK110N65Z DTMOSVI Power MOSFET features a low drain-source on-resistance of R_DS(ON) = 0.092Ω (typ.). The MOSFET has high-speed switching properties, lower capacitance, and an enhancement mode of Vth = 3V to 4V (V_DS = 10V, I_D = 1.02mA). The Toshiba TK110N65Z is ideal for switching power supply applications.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.