SiC MOSFETs

Sonuçlar: 31
Seçin Resim Parça Numarası Ürt. Açıklama Veri Sayfası Stok Durumu Fiyatlandırma (EUR) Tablodaki sonuçları sipariş verdiğiniz miktar uyarınca birim fiyata göre filtreleyin. Miktar RoHS ECAD Modeli Montaj Stili Paket / Kasa Transistör Polaritesi Kanal Sayısı Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı Id - Sürekli Tahliye Akımı Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı Qg - Kapı Şarjı Minimum Çalışma Sıcaklığı Maksimum Çalışma Sıcaklığı Pd - Güç Dağılımı Kanal Modu Ticari Unvan
IXYS SiC MOSFETs 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L 63Stokta Var
Min.: 1
Çoklu.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 (TO-263-7) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.4 A 750 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement
IXYS SiC MOSFETs 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement
Littelfuse SiC MOSFETs SiC MOSFET phase leg in SMPD-B

SMD/SMT SMPD-B 1.2 kV 19.5 A 160 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C
Littelfuse SiC MOSFETs SiC MOSFET phase leg in SMPD-B

SMD/SMT SMPD-B 1.2 kV 100 uA 160 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C
IXYS SiC MOSFETs TO268 1.2KV 90A SIC POWER Stokta Olmayan Ürün Teslimat Süresi 92 Hafta
Min.: 30
Çoklu.: 30

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 90 A 34 mOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 40 C + 150 C