TGS4306-FC

Qorvo
772-TGS4306-FC
TGS4306-FC

Ürt.:

Açıklama:
RF Anahtar IC'leri 77GHz SP4T

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
Minimum: 323   Çoklu: 323
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
23,77 € 7.677,71 €
646 Fiyat Teklifi

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Qorvo
Ürün Kategorisi: RF Anahtar IC'leri
RoHS:  
77 GHz
Die
Si
TGS4306
Gel Pack
Marka: Qorvo
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: US
Ürün Tipi: RF Switch ICs
Fabrika Paket Miktarı: 323
Alt kategori:: Wireless & RF Integrated Circuits
Parça No Takma Adları: 1067656
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.