STL13N60DM2

STMicroelectronics
511-STL13N60DM2
STL13N60DM2

Ürt.:

Açıklama:
MOSFETs N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Mouser şu anda bu ürünü bölgenizde satmamaktadır.

Stok Durumu

Stok:

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
Teslimat Kısıtlaması:
 Mouser şu anda bu ürünü bölgenizde satmamaktadır.
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
600 V
8 A
350 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: SG
Düşüş Zamanı: 10.6 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 4.8 ns
Seri: STL13N60DM2
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 42.5 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 12.3 ns
Birim Ağırlık: 76 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.